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资料编号:342302
 
资料名称:IRG4PC30FD
 
文件大小: 210.35K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PC30FD
绝缘 闸门 双极性 晶体管 与
超快 软 回收 二极管
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特点
e?
g
n通道
c
v
消费电子展
= 600v
v
ce(开启) 典型值
=
1.59v
@V
通用电气
= 15v, 我
c
= 17a
快 copack igbt
12/30/00
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
v
消费电子展
c
@ t
c
= 25°c 连续 收集器 电流 31
c
@ t
c
= 100°c 连续 收集器 电流 17
厘米
脉冲 收集器 电流
120 一个
LM
夹紧 归纳 荷载 电流
120
f
@ t
c
= 100°c 二极管 连续 前进 电流 12
调频
二极管 最大值 前进 电流 120
v
通用电气
闸门-至-发射器 电压 ± 20 v
p
d
@ t
c
= 25°c 最大值 电源 耗散 100
p
d
@ t
c
= 100°c 最大值 电源 耗散 42
t
j
操作 接合点 和 -55 至 +150
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒. 300 (0.063 入点. (1.6mm) 从 案例)
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉. 10 lbf•in (1.1 n•m)
• 快: 优化 用于 中 操作
频率 ( 1-5 khz 入点 硬 开关, >20
khz 入点 谐振 模式).
• 世代 4 igbt 设计 提供 更紧
参数 分布 和 较高 效率 比
世代 3
• igbt 一氧化碳-已打包 与 hexfred
tm
超快,
超-软-回收 反平行 二极管 用于 使用 入点
桥梁 配置
• 行业 标准 至-247ac 包装
好处
• 世代 -4 igbt's 报价 最高 效率
可用
• igbt's 优化 用于 具体 应用程序 条件
• hexfred 二极管 优化 用于 业绩 与
igbt's . 最小化 回收 特性 需要
较少/否 snubbing
• 设计 至 是 一个 "掉落-入点" 更换 用于 等效
行业标准 世代 3 红外线 igbt's
pd 91460b
w
至-247ac
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
θ
jc
连接至壳体 - igbt
–––
1.2
θ
jc
连接至壳体 - 二极管
–––
2.5
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.24
––– °
c/w
θ
ja
接合点-至-环境, 典型 插座 安装
–––
40
重量 重量 6(0.21)
–––
g (盎司)
www.irf.com 1
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