ds05-20883-2e
富士通 半导体
数据s他et
闪光灯 记忆
CMOS
16m (2m
×
8/1m
×
16) 有点
mbm29lv160te/是
-
70/90/12
■
概述 描述
这 mbm29lv160te/是 是 一个 16m-有点, 3.0 v-仅 闪光灯 记忆 有组织的 作为 2m 字节数 的 8 比特 每个 或 1m 字词
的 16 比特 每个. 这 mbm29lv160te/是 是 提供 入点 一个 48-管脚 tsop (我), 48-pin csop 和 48-ball fbga
软件包. 这 设备 是 设计 至 是 编程 在系统内 与 这 标准 系统 3.0 v v
抄送
供应. 12.0
v v
pp
和 5.0 v v
抄送
是 不 必填项 用于 写 或 擦除 运营. 这 设备 可以 也 是 重新编程 入点
标准 非易失存储器 程序员.
这 标准 mbm29lv160te/是 优惠 访问权限 次 的 70 ns, 90 ns 和 120 ns, 允许 操作 的 高-
速度 微处理器 无 等待 国家. 至 消除 总线 争用 这 设备 有 分开 芯片 启用 (ce
),
写 启用 (我们
), 和 输出 启用 (oe) 控件.
这 mbm29lv160te/是 是 管脚 和 命令 设置 兼容 与 电子元件工业联合会 标准 e?
2
proms. 命令 是
书面 至 这 命令 注册 使用 标准 微处理器 写 计时. 注册 内容 服务 作为 输入
至 一个 内部 状态机 哪个 控件 这 擦除 和 编程 电路. 写 循环次数 也 内部 门闩
地址 和 数据 需要 用于 这 编程 和 擦除 运营. 阅读 数据 出点 的 这 设备 是 类似
至 阅读 从 5.0 v 和 12.0 v 闪光灯 或 非易失存储器 设备.
这 mbm29lv160te/是 是 编程 由 执行 这 程序 命令 顺序. 这个 将 调用 这
嵌入式 程序
TM*
算法 哪个 是 一个 内部 算法 那 自动 次 这 程序 脉冲 宽度
和 验证 适当的 细胞 页边距. 通常, 每个 部门 可以 是 编程 和 是否已验证 入点 关于 0.5 秒.
擦除 是 已完成 由 执行 这 擦除 命令 顺序. 这个 将 调用 这 嵌入式 擦除
TM*
算法 哪个 是 一个 内部 算法 那 自动 预程序 这 阵列 如果 它 是 不 已经 编程
之前 执行 这 擦除 操作. 期间 擦除, 这 设备 自动 次 这 擦除 脉冲 宽度 和
验证 适当的 细胞 页边距.
任何 个人 部门 是 通常 已擦除 和 是否已验证 入点 1.0 第二. (如果 已经 预编程.)
内 一个 部门 同时 通过 fowler-nordhiem 隧道. 这 字节数/字词 是 编程 一个 字节/字
在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 编程 机制 的 热 电子 注射.
(续)
■
产品 线 向上
零件 否. mbm29lv160te/160be
订购 part 否.
v
抄送
= 3.3 v
70 — —
v
抄送
= 3.0 v
—9012
最大值 地址 访问权限 时间 (ns) 70 90 120
最大值 ce
访问权限 时间 (ns) 70 90 120
最大值 oe
访问权限 时间 (ns) 30 35 50
+0.3 v
–0.3 v
+0.6 v
–0.3 v
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