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资料编号:346000
 
资料名称:GAL22V10D-25LPI
 
文件大小: 386.45K
   
说明
 
介绍:
High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
规格
GAL22V10
1
特点
高 业绩 e?
2
CMOS
®
技术
4 ns 最大值 传播 延迟
fmax = 250 mhz
3.5 ns 最大值 从 时钟 输入 至 数据 输出
UltraMOS
®
高级 cmos 技术
活动 引体向上 开启 全部 针脚
兼容 与 标准 22v10 设备
完全 功能/保险丝-地图/参数化 兼容
与 双极性 和 uvcmos 22v10 设备
50% 至 75% 减少 入点 电源 与 双极性
90ma 典型 icc 开启 低 电源 设备
•E
2
细胞 技术
可重构 逻辑
可重新编程 细胞
100% 已测试/100% 收益率
高 速度 电气 擦除 (&指示灯;100ms)
20 年份 数据 保留
十 输出 逻辑 宏单元
最大值 灵活性 用于 复杂 逻辑 设计
预载 和 通电 重置 的 寄存器
100% 功能 可测试性
应用程序 包括:
dma 控制
州 机器 控制
高 速度 图形 加工
标准 逻辑 速度 升级
电子 签名 用于 标识
ESCRIPTION
描述
这 gal22v10, 在 4ns 最大值 传播 延迟 时间, 联合收割机
一个 高 业绩 cmos 流程 与 电气 可擦除 (e?
2
)
浮动 闸门 技术 至 提供 这 最高 业绩 可用-
能 的 任何 22v10 设备 开启 这 市场. cmos 电路 允许
这 gal22v10 至 消耗 很多 较少 电源 当 比较 至
双极性 22v10 设备. e?
2
技术 优惠 高 速度 (&指示灯;100ms)
擦除 次, 提供 这 能力 至 重新编程 或 重新配置 这
设备 快速 和 高效.
这 通用 体系结构 提供 最大值 设计 灵活性 由
允许 这 输出 逻辑 宏单元 (olmc) 至 是 已配置 由
这 用户. 这 gal22v10 是 完全 功能/保险丝 地图/参数化 com-
耐心 与 标准 双极性 和 cmos 22v10 设备.
独一无二 测试一下 电路 和 可重新编程 细胞 允许 完成 交流电,
直流, 和 功能 测试 期间 制造. 作为 一个 结果, lat-
tice 半导体 交付 100% 字段 可编程性 和 功能-
合性 的 全部 gal 产品. 入点 加法, 100 擦除/写 循环次数 和
数据 保留 入点 超额 的 20 年 是 指定.
GAL22V10
高 业绩 e?
2
cmos pld
通用 阵列Logic™
可编程
和-阵列
(132x44)
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/clk
重置
预置
8
10
12
14
16
16
14
12
10
8
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
版权 © 2000 lattice 半导体 corp. 全部 品牌 或 产品 姓名 是 商标 或 已注册 商标 的 他们的 各自 持有人. 这 规格 和 信息 此处 是 主题
至 变更 无 通知.
lattice 半导体 corp., 5555 northeast moore ct., hillsboro, oregon 97124, 美国
8月 2000
电话. (503) 268-8000; 1-800-lattice; 传真 (503) 268-8556; http://www.latticesemi.com
GAL22V10
顶部 查看
PLCC
1
12
13
24
我/clk
Vcc
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
6
18
GAL
22V10
228
nc
我/clk
nc
nc
nc
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
我/o/q
Vcc
我/o/q
我/o/q
我/o/q
426
25
19
18
21
23
161412
11
9
7
5
倾角
22v10_06
功能 块 图表
管脚 配置
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