rev: 1.03 10/2002 1/14 © 2001, 千兆 半导体, 公司
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gs74116atp/j/x
256k x 16
4mb 异步 sram
7, 8, 10, 12 ns
3.3 v v
dd
中心 v
dd
和 v
ss
soj, tsop, fp-bga
商业 温度
工业 温度
特点
• 快 访问权限 时间: 7, 8, 10, 12 ns
• cmos 低 电源 操作: 150/130/105/95 ma 在
最小值 循环 时间
• 单独 3.3 v 电源 供应
• 全部 输入 和 产出 是 ttl-兼容
• 字节 控制
• 完全 静态 操作
• 工业 温度 选项: –40° 至 85°c
• 包装 线 向上
j: 400 密耳, 44-管脚 soj 包装
tp: 400 密耳, 44-管脚 tsop 类型 二 包装
x: 6 mm x 10 mm 好 变桨 球 网格 阵列
包装
描述
这 gs74116a 是 一个 高 速度 cmos 静态 ram 有组织的
作为 262,144 字词 由 16 比特. 统计集成电路 设计 消除 这 需要
用于 外部 时钟 或 计时 频闪. 这 gs 操作 开启 一个
单独 3.3 v 电源 供应 和 全部 输入 和 产出 是 ttl-
兼容. 这 gs74116a 是 可用 入点 一个 6 x 10 mm 好
变桨 bga 包装, 400 密耳 soj 和 400 密耳 tsop 类型-二
软件包.
管脚 说明
soj 256k x 16-管脚 configuration (包装 j)
fp-bga 256k x 16 颠簸配置 (包装 x)
6 x 10 mm 颠簸 变桨
符号 描述
一个
0
–A
17
地址 输入
DQ
1
–DQ
16
数据 输入/输出
ce
芯片 启用 输入
磅
下部 字节 启用 输入
(dq1 至 dq8)
ub
上部 字节 启用 输入
(dq9 至 dq16)
我们
写 启用 输入
oe
输出 启用 输入
v
dd
+3.3 v 电源 供应
v
ss
接地
nc 否 连接
123456
ALBoe 一个
0
一个
1
一个
2
nc
BDQ
16
ub 一个
3
一个
4
ce DQ
1
CDQ
14
DQ
15
一个
5
一个
6
DQ
2
DQ
3
设计验证
ss
DQ
13
一个
17
一个
7
DQ
4
v
dd
电动汽车
dd
DQ
12
nc 一个
16
DQ
5
v
ss
FDQ
11
DQ
10
一个
8
一个
9
DQ
7
DQ
6
GDQ
9
nc 一个
10
一个
11
我们 DQ
8
HNCA
12
一个
13
一个
14
一个
15
nc
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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15
16
17
18
19
20
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
ce
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
v
dd
v
ss
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
我们
一个
15
一个
14
一个
13
一个
5
一个
6
一个
7
oe
ub
磅
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
v
ss
v
dd
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
nc
一个
8
一个
9
一个
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一个
12
一个
11
44-管脚
SOJ
一个
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一个
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