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资料编号:358545
 
资料名称:GS74108TP
 
文件大小: 241.75K
   
说明
 
介绍:
512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM
 
 


: 点此下载
 
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rev:1.067/2000 1/12 © 1999, 千兆 半导体, 公司
规格 已引用 是 主题 至 变更 无 通知. 用于 最新 文档 请参见 http://www.gsitechnology.com.
GS74108tp/j
512k x 8
4mb异步 sram
8,10,12, 15ns
中心vdd&放大器; vss
soj,TSOP
商业温度
工业温度
特点
快 访问权限 时间:8,10, 12, 15ns
cmos 低 电源 操作: 150/125/110/90 ma 在 最小值 循环 时间.
单独 3.3v ± 0.3v 电源 供应
全部 输入 和 产出 是 ttl 兼容
完全 静态 操作
工业t温度 选项: -40° 至 85°c
包装 线 向上
j:400mil,36管脚 soj 包装
tp:400mil,44管脚 tsop 类型 二 包装
描述
这 gs74108是 一个 高 速度 cmos 静态 ram 有组织的 作为
524,288-字词 由8-比特. 静态 设计 消除 这 需要 用于 exter-
nal 时钟 或 计时 频闪. 操作 开启 一个 单独 3.3v 电源 供应
和 全部 输入 和 产出 是 ttl 兼容. 这 gs74108是 可用-
能 入点400 密耳 soj 和400 密耳 tsop 类型-二 包装s.
管脚 说明
SOJ512Kx 8 管脚 配置
符号 描述
一个0至 一个18
地址 输入
DQ1至 dq8 数据 输入/输出
ce 芯片 启用 输入
我们 写 启用 输入
oe 输出 启用 输入
vdd +3.3v 电源 供应
vss 接地
nc 否 连接
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一个3
一个2
一个1
一个0
ce
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vdd
vss
DQ3
DQ4
我们
一个17
一个16
一个15
nc
一个5
一个6
一个7
一个8
oe
DQ8
DQ7
vss
vdd
DQ6
DQ5
一个9
一个10
一个11
一个12
36 管脚
400mil soj
17
18
一个14
一个13
20
19 nc
一个18
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