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符号 测试一下 条件 最大值额定值
v
DSS
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c 500 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
500 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
我
D25
t
c
= 25
°
c 21N50 21 一个
24N50 24 一个
26N50 26 一个
我
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
21N50 84 一个
24N50 96 一个
26N50 104 一个
我
ar
t
c
= 25
°
c 21N50 21 一个
24N50 24 一个
26N50 26 一个
e?
ar
t
c
= 25
°
C30mJ
设计验证/dt
我
s
≤
我
dm
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
DSS
,5v/
n
s
t
j
≤
150
°
c, 右
g
= 2
Ω
p
d
t
c
= 25
°
c 300 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
1.6 mm (0.062 入点.) 从 案例 用于 10 s 300
°
c
m
d
安装扭矩 1.13/10 nm/磅.入点.
重量
至-204 = 18 g, 至-247 = 6 g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250
µ
一个 500 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4 ma 2 4 v
我
GSS
v
gs
=
±
20 v
直流
, v
ds
= 0
±
100 不适用
我
DSS
v
ds
= 0.8 • v
DSS
t
j
= 25
°
c 200
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
C1mA
n通道 增强功能 模式
高 设计验证/dt, 低 t
rr
, hdmos
tm
家庭
至-247 广告 (ixfh)
至-204 不良事件 (ixfm)
d
g
特点
• 国际 标准 软件包
• 低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
• 坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
• 松开 归纳 开关 (uis)
额定
• 低 包装 电感
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
• 快 内在的 整流器
应用程序
• 直流-直流 转换器
• 同步 整改
• 蓄电池 充电器
• 切换模式 和 谐振模式
电源 供应品
• 直流 斩波器
• 交流电 电机 控制
• 温度 和 照明 控件
• 低 电压 继电器
优点
• 容易 至 安装 与 1 螺钉 (至-247)
(隔离 安装 螺钉 孔)
• 高 电源 表面 可安装 包装
• 高 电源 密度
g = 闸门, d = 排水管,
s = 来源, 选项卡 = 排水管
91525h (9/99)
(选项卡)
v
DSS
我
D25
右
ds(开启)
ixfh/ixfm21n50 500 v 21 一个 0.25
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfh/ixfm/ixft24n50 500 v 24 一个 0.23
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfh/ixft26n50 500 v 26 一个 0.20
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
HiPerFET
tm
电源 mosfets
至-268 (d3) 案例 风格
(选项卡)
g
s
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