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标识 测试 情况 最大比率
V
CES
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 500 V
V
CGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GE
= 1 m
Ω
500 V
V
GES
持续的
±
20 V
V
GEM
瞬时
±
30 V
I
C25
T
C
= 25
°
C60A
I
C90
T
C
= 90
°
C32A
I
CM
T
C
= 25
°
c, 1 ms 120 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
°
c, r
G
= 33
Ω
I
CM
= 64 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载, l = 100
µ
H @ 0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
°
C 200 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
最大 含铅的 和 tab 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque, 至-247 ad 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-247 smd 4 g
至-247 ad 6 g
初步的 数据 薄板
HiPerFAST
TM
IGBT
和 二极管
combi 包装
V
CES
= 500 v
I
C25
= 60 一个
V
ce(sat)
= 2.0 v
t
fi
= 80 ns
IXGH32N50BU1
IXGH32N50BU1S
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
= 750
µ
一个, v
GE
= 0 v 500 V
V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
2.5 5.5 V
I
CES
V
CE
= 0.8 • v
CES
T
J
= 25
°
C 500
µ
一个
V
GE
= 0 v T
J
= 125
°
C8mA
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v
±
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v 2.0 V
E
至-247 smd
(32n50bu1s)
G
c (tab)
c (tab)
g = 门, c = 集电级,
e = 发射级, tab = 集电级
G
C
E
至-247 ad
特性
国际的 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 smd 表面
mountable 和 电子元件工业联合会 至-247 ad
高 频率 igbt 和 antiparallel
fred 在 一个 包装
高 电流 处理 能力
newest 一代 hdmos
TM
处理
mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
产品
交流 发动机 速 控制
直流 伺服 和 robot 驱动
直流 choppers
uninterruptible 电源 供应 (ups)
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
有利因素
空间 savings (二 设备 在 一个
包装)
高 电源 密度
非常 快 切换 speeds 为 高
频率 产品
95565a (4/97)
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