半导体 组件 industries, llc, 2002
march, 2002 – rev. 2
1
发行 顺序 号码:
nthd5903t1/d
2.1 放大器, 20 伏特
特性
•
低 r
ds(在)
为 高等级的 效率
•
逻辑 水平的 门 驱动
•
小型的 chipfet 表面 挂载 包装 saves 板 空间
产品
•
电源 管理 在 可携带的 和 battery–powered 产品; i.e.,
cellular 和 cordless telephones 和 pcmcia cards
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 5 secs
稳步的
状态
单位
drain–source 电压 V
DS
–20 V
gate–source 电压 V
GS
12 V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
°
c) (便条 1)
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
I
D
2.9
2.1
2.1
1.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
10 一个
持续的 源 电流
(二极管 传导) (便条 1)
I
S
–1.8 –0.9 一个
最大 电源 消耗
(便条 1)
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
P
D
2.1
1.1
1.1
0.6
W
运行 接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
1. 表面 挂载 在 1
″
x 1
″
fr4 板.
G
1
G
2
S
1
D
1
S
2
D
2
p–channel mosfetp–channel 场效应晶体管
设备 包装 Shipping
订货 信息
NTHD5903T1 ChipFET 3000/录音带 &放大; 卷轴
ChipFET
情况 1206a
样式 2
双 p–channel
2.1 放大器, 20 伏特
R
ds(在)
= 155 m
1
2
3
45
6
7
8
管脚 连接
标记
图解
A7
a7 = 明确的 设备 代号
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
8
7
6
5
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