at49f010/hf010
1-megabit
(128k x 8)
5-volt 仅有的
cmos flash
记忆
AT49F010
AT49HF010
特性
•
单独的 电压 运作
- 5v 读
- 5v reprogramming
•
快 读 进入 时间 - 45 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
8k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节 用 字节 程序编制 - 10
µ
s/字节
•
硬件 数据 保护
•
数据 polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
- 30 毫安 起作用的 电流
- 100
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a16 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
这 at49f010/hf010 是 5-volt-仅有的 在-系统 可编程序的 和 可擦掉的 flash
memories. 它们的 1-megabit 的 记忆 是 有组织的 作 131,072 words 用 8 位. manu-
factured 和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 交流-
cess 时间 至 45 ns (hf 版本) 和 一个 电源 消耗 的 just 165 mw 在 这
商业的 温度 范围. 当 这 设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品
电流 是 较少 比 100
µ
一个.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49f010/hf010 做 不 re-
quire 高 输入 电压 为 程序编制. five-volt-仅有的 commands 决定 这
读 和 程序编制 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这 设备 是
类似的 至 读 从 一个 非易失存储器. reprogramming 这 at49f010/hf010 是 每-
formed 用 erasing 这 全部 1 megabit 的 记忆 和 然后 程序编制 在 一个 字节
用 字节 基准. 这 字节 程序编制 时间 是 一个 快 50
µ
s. 这 终止 的 一个 程序 循环
能 是 optionally 发现 用 这
数据 polling 特性. once 这 终止 的 一个 字节 pro-
描述
(持续)
插件 顶 视图
tsop 顶 视图
类型 1
plcc 顶 视图
0852ax–5/97
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