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资料编号:378641
 
资料名称:HI210
 
文件大小: 22.78K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号HI210的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
嗨-sincerity
微电子学 corp.
规格. 否. : he9011-b
已发布 日期 : 1996.03.12
修订 日期 : 2000.11.01
第页 否. : 1/2
hsmc 产品 规格
HI210
pnp 外延 平面 晶体管
描述
这 hi210 是 设计 用于 低 电压, 低-电源, 高增益 音频
放大器 应用程序.
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
最大值 温度
°
c
接合点 温度 ....................................................................................................+150
°
c
最大值 电源 耗散
合计 电源 耗散 (tc=25
°
c) .................................................................................... 10 w
最大值 电压 和 电流
bvcbo 收集器 至 底座 电压..................................................................................... -40 v
bvceo 收集器 至 发射器 电压.................................................................................. -25 v
bvebo 发射器 至 底座 电压 .......................................................................................... -8 v
集成电路 收集器 电流 ............................................................................................................ -5 一个
ib 底座 电流 ................................................................................................................... -1 一个
特性
(助教=25
°
c)
符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试一下 条件
BVCBO -40 - - v 集成电路=-100ua, ie=0
BVCEO -25 - - v 集成电路=-10ma, ib=0
BVEBO -8 - - v ie=-100ua, 集成电路=0
ICBO - - -100 不适用 vcb=-40v, ie=0
IEBO - - -100 不适用 veb=-8v, 集成电路=0
*vce(sat)1 - - -0.3 v 集成电路=-500ma, ib=-50ma
*vce(sat)2 - - -0.75 v 集成电路=-2a, ib=-200ma
*vce(sat)3 - - -1.8 v 集成电路=-5a, ib=-1a
*vbe(sat) - - -2.5 v 集成电路=-5a, ib=-0.1a
*vbe(开启) - - -1.6 v vce=-1v, 集成电路=-2a
*hFE1 70 - - vce=-1v, 集成电路=-500ma
*hFE2 45 - - vce=-1v, 集成电路=-2a
*hFE3 10 - - vce=-2v, 集成电路=-5a
Cob - - 120 pf vcb=-10v, f=1mhz
英尺 65 - MHz vce=-10v, 集成电路=-100ma, f=100mhz
*pulse 测试一下 : 脉冲 宽度
380us, 职责 循环
2%
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