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资料编号:37943
 
资料名称:2N3055
 
文件大小: 47.01K
   
说明
 
介绍:
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2N3055的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
技术类 数据
npn 电源 硅 晶体管
合格 按 密耳-prf-19500/407
设备 合格 水平
2N3055
JAN
JANTX
最大值 额定值
额定值 符号 单位
收集器-发射器 电压
v
CEO
70 Vdc
收集器-底座 电压
v
CBO
100 Vdc
e?mitter-底座 电压
v
EBO
7.0 Vdc
底座 电流
B
7.0 adc
收集器 电流
c
15 adc
合计 电源 耗散@ t
一个
= 25
0
c
(1)
@ t
c
= 25
0
c
(2)
p
t
6.0
117
w
w
操作 &放大器; 存储 温度 范围
t
op,
t
stg
-65 至+200
0
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点--案例
θ
jc
1.5
0
c/w
1) 降额 线性 @ 34.2 mw/
0
c 用于 t
一个
> +25
0
c
2) 降额 线性 @ 668 mw/
0
c 用于 t
c
> +25
0
c
-3*
(至-204aa)
*see appendix 一个 用于
包装 大纲
电气 特性
特性
符号 最小值 最大值 单位
关 特性
收集器-发射器 击穿 电压
c
= 200 madc
v
(br)
CEO
70 Vdc
收集器-发射器 击穿 电压
c
= 200 madc, 右
= 100
v
(b右)
cer
80 Vdc
收集器-发射器 击穿 电压
v
=-1.5 vdc, 我
c
= 200 madc
v
(br)
CEX
90 Vdc
收集器-发射器 截止 电流
v
ce
= 60 vdc
CEO
1.0 mAdc
收集器-发射器 截止 电流
v
=-1.5 vdc; v
ce
= 100 vdc
CEX
1.0 mAdc
emitter-底座 截止 电流
v
eb
= 7.0 vdc
EBO
1.0 mAdc
6 lake 街道, lawrence, ma 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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