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注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 electrostatic 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
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hip6601b, hip6603b, hip6604b
同步 已纠正 降压
场效应晶体管 驱动程序
这 hip6601b, hip6603b 和 hip6604b 是 高-
频率, 双 场效应晶体管 驱动程序 具体而言 设计 至
驱动器 两个 电源 n通道 mosfets 入点 一个 同步
已纠正 降压 变频器 拓扑. 这些 驱动程序 合并
与 一个 hip63xx 或 这 isl65xx系列 的 多相 降压
pwm 控制器 和 mosfets 窗体 一个 完成 核心-
电压 调节器 解决方案 fo右 高级 微处理器.
这 hip6601b 驱动器 这 下部 闸门 入点 一个 同步
整流器 至 12v, 同时 这 上部 闸门 可以 是 独立
驱动 结束 一个 范围 从 5v 至 12v. 这 hip6603b 驱动器
两者都有 上部 和 下部 盖茨 结束 一个 范围 的 5v 至 12v. 这个
驱动器-电压 灵活性 提供es 这 优势 的 优化
应用程序 涉及 权衡 之间 开关 损失
和 传导 损失. 这 hip6604b 可以 是 已配置 作为
要么 一个 hip6601b 或 一个 hip6603b.
这 输出 驱动程序 入点 the? hip6601b, hip6603b 和
hip6604b 有 这 容量 至 高效 开关 电源
mosfets 在 频率 向上 至 2mhz. 每个 驾驶员 是
有能力 的 驾驶 一个 3000pf 荷载 与 一个 30ns 传播
延迟 和 50ns 过渡 时间. 这些 产品 实施
引导 开启 这 上部闸门 与 仅 一个 外部
电容器 必填项. 这个 减免es 实施 复杂性
和 允许 这 使用 的 较高 业绩, 成本 有效,
n通道 mosfets. 自适应 射穿 保护 是
综合 至 防止 两者都有 mosfets 从 传导
同时.
特点
• 驱动器 两个 n通道 mosfets
• 自适应 射穿 保护
• 内部 引导程序 设备
• 支架 高 开关 频率
- 快 输出 上升 时间
- 传播 延迟 30ns
• 小 8 ld soic 和 epsoic 和 16 ld qfn 软件包
• 双 栅极驱动 电压用于 最优 效率
• 三态 输入 用于 输出 舞台 停机
• 供应 欠压 保护
• qfn 包装
- 符合 至 电子元件工业联合会 pub95 mo-220 qfn—quad 扁平
否 leads—product 大纲.
- 近 芯片级 包装 占地面积; 改进 pcb
效率 和 稀释剂 入点 配置文件.
应用程序
• 核心 电压 供应品 用于 入点电话 pentium® 三, amd®
athlon™ 微处理器
• 高 频率 低 配置文件 直流-直流 转换器
• 高 电流 低 电压 直流-直流 转换器
相关 文学
• 技术类 简介 tb363,
准则 用于 搬运 和
加工 水分 敏感 表面 安装 设备
(smds)
数据 工作表 july 20, 2005
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