hm624100h 序列
4m 高 速 sram (1-mword
×
4-位)
ade-203-789d (z)
rev. 1.0
sep. 15, 1998
描述
这 hm624100h 是 一个 4-mbit 高 速 静态的 内存 有组织的 1-mword
×
4-位. 它 有 认识到 高 速
进入 时间 用 employing cmos 处理 (4-晶体管 + 2-poly 电阻 记忆 cell) 和 高 速 电路
designing 技术. 它 是 大多数 适合的 为 这 应用 这个 需要 高 速 和 高 密度
记忆, 此类 作 cache 和 缓存区 记忆 在 系统. 这 hm624100h 是 packaged 在 400-mil 32-管脚 soj
为 高 密度 表面 挂载.
特性
•
单独的 5.0 v 供应 : 5.0 v
±
10 %
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进入 时间 10/12/15 ns (最大值)
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完全地 静态的 记忆
非 时钟 或者 定时 strobe 必需的
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equal 进入 和 循环 时间
•
直接地 ttl 兼容
所有 输入 和 输出
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运行 电流 : 200/180/160 毫安 (最大值)
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ttl 备用物品 电流 : 70/60/50 毫安 (最大值)
•
cmos 备用物品 ccurrent : 5 毫安 (最大值)
: 1.2 毫安 (最大值) (l-版本)
•
数据 retension 电流 : 0.8 毫安 (最大值) (l-版本)
•
数据 retension 电压 : 2.0 v (最小值) (l-版本)
•
中心 v
CC
和 v
SS
类型 引脚
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