hm628511hi 系列
4m 高 速度 sram (512-kword
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8-有点)
ade-203-1035a (z)
rev. 1.0
apr. 15, 1999
描述
这 hm628511hi 系列 是 一个 4-mbit 高 速度 静态 ram 有组织的 512-k 字
×
8-有点. 它 有 已实现
高 速度 访问权限 时间 由 雇用 cmos 流程 (4-晶体管 + 2-保利 电阻 记忆 细胞)和 高
速度 电路 设计 技术. 它 是 大多数 适当的 用于 这 应用程序 哪个 需要 高 速度, 高
密度 记忆 和 宽 有点 宽度 配置, 这样的 作为 高速缓存 和 缓冲区 记忆 入点 系统. 它 是 已打包
入点 400-密耳 36-管脚 塑料 soj.
特点
•
单独 5.0 v 供应 : 5.0 v
±
10 %
•
访问权限 时间 12 /15 ns (最大值)
•
完全 静态 记忆
否 时钟 或 计时 频闪 必填项
•
相等 访问权限 和 循环 次
•
直接 ttl 兼容
全部 输入 和 产出
•
操作 电流 : 160 / 140 ma (最大值)
•
ttl 备用 电流 : 60 / 50 ma (最大值)
•
cmos 备用 电流 : 5 ma (最大值)
•
中心 v
抄送
和 v
ss
类型 引出线
•
温度 范围: –40 至 85
°
c
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