hm62w4100h 系列
4m 高 速度 sram (1-mword
×
4-有点)
ade-203-774d (z)
rev. 1.0
9月. 15, 1998
描述
这 hm62w4100h 是 一个 4-mbit 高 速度 静态 ram 有组织的 1-mword
×
4-有点. 它 有 已实现 高
速度 访问权限 时间 由 雇用 cmos 流程 (4-晶体管 + 2-保利 电阻 记忆 细胞) 和 高 速度
电路 设计 技术. 它 是 大多数 适当的 用于 这 应用程序 哪个 需要 高 速度 和 高
密度 记忆, 这样的 作为 高速缓存 和 缓冲区 记忆 入点 系统. 这 hm62w4100h 是 已打包 入点 400-密耳
32-管脚 soj 用于 高 密度 表面 安装.
特点
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单独 供应 : 3.3 v
±
0.3 v
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访问权限 时间 12/15 ns (最大值)
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完全 静态 记忆
否 时钟 或 计时 频闪 必填项
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相等 访问权限 和 循环 次
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直接 ttl 兼容
全部 输入 和 产出
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操作 电流 : 180/160 ma (最大值)
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ttl 备用 电流 : 60/50 ma (最大值)
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cmos 备用 电流 : 5 ma (最大值)
: 1 ma (最大值) (l-版本)
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数据 retension 电流 : 0.6 ma (最大值) (l-版本)
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数据 retension 电压: 2 v (最小) (l-版本)
•
中心 v
抄送
和 v
ss
类型 引出线
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