2n5114jan/jantx/jantxv 序列
vishay siliconix
文档 号码: 70261
s-04030—rev. e, 04-六月-01
www.vishay.com
9-1
p-频道 jfets
2n5114jan/jantx/jantxv
2n5115jan/jantx/jantxv
2n5116jan/jantx/jantxv
部分 号码 V
gs(止)
(v)
r
ds(在)
最大值 (
)
I
d(止)
典型值 (pa) t
在
最大值 (ns)
2N5114 5 至 10 75 –10 16
2N5115 3 至 6 100 –10 30
2N5116 1 至 4 150 –10 42
低 在-阻抗: 2n5114 <75
快 switching—t
在
: 16 ns
高 止-isolation—i
d(止)
: –10 pa
低 电容: 6 pf
低 嵌入 丧失
低 错误 电压
高-速 相似物 电路 效能
negligible “off-错误,” 极好的 精度
好的 频率 回馈
排除 额外的 buffering
相似物 switches
Choppers
样本-和-支撑
正常情况下 “on” switches
电流 limiters
这 2n5114jan/jantx/jantxv 序列 组成 的
p-频道 jfet 相似物 switches 设计 至 提供 低
在-阻抗, 好的 止-分开, 和 快 切换. 这些
jfets 是 优化 为 使用 在 complementary 切换
产品 和 这 vishay siliconix 2n4856a 序列.
至-206aa
(至-18)
S
D
顶 视图
G
情况
1
23
门-流 电压 30 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
门-源 电压 30 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
门 电流 –50 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 –65 至 200
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
运行 接合面 温度 –55 至 200
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) 300
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗
一个
500 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注释
一个. 减额 3 mw/
c 在之上 25
C
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