6-220
march 1997
hm-65642/883
8k x 8 异步的
cmos 静态的 内存
特性
• 这个 电路 是 processed 在 一致 至 mil-标准-
883 和 是 全部地 conformant 下面 这 provisions 的
paragraph 1.2.1.
• 全部 cmos 设计
• 六 晶体管 记忆 cell
• 低 备用物品 供应 电流. . . . . . . . . . . . . . . .100
µ
一个
• 低 运行 供应 电流. . . . . . . . . . . . . . . 20mA
• 快 地址 进入 时间 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150ns
• 低 数据 保持 供应 电压. . . . . . . . . . . . 2.0v
• cmos/ttl 兼容 输入/输出
• 电子元件工业联合会 批准 引脚
• equal 循环 和 进入 时间
• 非 clocks 或者 strobes 必需的
• gated 输入
- 非 拉-向上 或者 拉-向下 电阻器 必需的
• 温度 范围 -55
o
c 至 +125
o
C
• 容易 微处理器 接合
• 双 碎片 使能 控制
描述
这 hm-65642/883 是 一个 cmos 8192 x 8-位 静态的 随机的
进入 记忆. 这 引脚 是 这 电子元件工业联合会 28 管脚, 8-位 宽
标准, 这个 准许 容易 记忆 板 layouts 这个
accommodate 一个 多样性 的 工业 标准 只读存储器, prom,
非易失存储器, 可擦可编程只读存储器 和 rams. 这 hm-65642/883 是 ideally
suited 为 使用 在 微处理器 为基础 系统. 在 particu-
lar, 接合 和 这 intersil 80c86 和 80c88 micropro-
cessors 是 simplified 用 这 便利的 输出 使能 (
g)
输入.
这 hm-65642/883 是 一个 全部 cmos 内存 这个 运用 一个
排列 的 六 晶体管 (6t) 记忆 cells 为 这 大多数 稳固的
和 最低 可能 备用物品 供应 电流 在 这 全部 mili-
tary 温度 范围. 在 增加 至 这个, 这 高 稳固
的 这 6t 内存 cell 提供 极好的 保护 相反 软
errors 预定的 至 噪音 和 alpha particles. 这个 稳固 也
改进 这 辐射 容忍 的 这 内存 在 那 的 四
晶体管 或者 混合-mos (4t) 设备
订货 信息
包装 温度 范围 150ns/75
µ
一个 150ns/150
µ
一个 200ns/250
µ
一个 pkg. 非.
CERDIP -55
o
c 至 +125
o
C hm1-65642b/883 hm1-65642/883 hm1-65642c/883 f28.6
CLCC -55
o
c 至 +125
o
C hm4-65642b/883 hm4-65642/883 - j32.一个
Pinouts
hm-65642/883 (cerdip)
顶 视图
hm4-65642/883 (clcc)
顶 视图
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
VCC
E2
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
W
G
E1
5
6
7
8
11
10
9
13
12
27
28
29
26
25
24
23
22
21
3 2
1
4 32 31 30
16 17 18 19 20
14
15
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
DQ1
DQ2
地
NC
DQ3
DQ4
DQ5
VCC
NC
NC
A7
A12
E2
W
A8
A9
A11
G
A10
E1
DQ7
DQ6
NC
管脚 描述
一个 地址 输入
DQ 数据 输入/输出
E1 碎片 使能
E2 碎片 使能
W 写 使能
G 输出 使能
NC 非 连接
地 地面
VCC 电源
文件 号码
3004.1
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
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版权
©
intersil 公司 1999
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