注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电. 用户 应该 跟着 适当的 我.c. 搬运 程序.
版权
©
harris 公司 1995
1
半导体
hs-82c37arh
辐射 硬化 cmos 高
业绩 可编程 dma 控制器
描述
这 harris hs-82c37arh 是 一个 增强型, 辐射
硬化 cmos 版本 的 这 行业 标准 8237a
直接 记忆 访问权限 (dma) 控制器, 预制 使用 这
harris 硬化 field, 自我-对齐 硅 闸门 cmos
流程. 这 hs-82c37arh 优惠 增加 功能,
改进 业绩, 和 戏剧性地 减少 电源
消费 用于 这 辐射 环境. 这 高 速度,
辐射 硬度, 和 行业 标准 配置 的
这 hs-82c37arh 制造 它 兼容 与 辐射
硬化 微处理器 这样的 作为 这 hs-80c85rh 和
这 hs-80c86rh.
这 hs-82c37arh 可以 改善 系统 业绩 由
允许 外部 设备 至 转让 数据 直接 至 或 从
系统 记忆. 内存到内存 转让 能力 是
也 提供, 沿 与 一个 记忆 块 初始化
功能. dma 请求 将 是 已生成 由 要么
硬件 或 软件, 和 每个 频道 是 独立
可编程 与 一个 品种 的 特点 用于 fl
操作.
静态 cmos 电路 设计 保险 低 操作 电源 和
允许 门控 时钟 操作 用于 一个 甚至 进一步 减少 的
电源. 多模 可编程性 允许 这 用户 至 选择
从 三个 基本 类型 的 dma 服务, 和 Reconfi
下 程序 控制 是 可能 甚至 与 这 时钟 至 这
控制器 已停止. 每个 频道 有 一个 已满 64k 地址 和
字 计数 范围, 和 将 是 编程 至 autoinitialize
这些 寄存器 以下内容 dma 终止 (结束 的 流程).
这 harris 硬化 field cmos 流程 结果 入点
业绩 相等 至 或 更大 比 现有 辐射 resis-
tant 产品 在 一个 分数 的 这 电源.
特点
• 辐射 硬化
- 合计 剂量 >10
5
rad (si)
- 瞬态 心烦 > 10
8
rad (si)/s
- 门闩 向上 免费 epi-cmos
• 低 电源 消费
- iddsb = 50
µ
一个 最大值
- iddop = 4.0ma/mhz 最大值
• 管脚 兼容 与 nmos 8237a 和 这 harris
82C37A
• 高 速度 数据 转让 向上 至 2.5 mbps 与 5mhz
时钟
• 四 独立 可掩膜 频道 与 autoinitializa-
操作 能力
• expandable 至 任何 号码 的 频道
• 内存到内存 转让 能力
• cmos 兼容
• 硬化 字段, 自我-对齐, 接合点 隔离 cmos
流程
• 单独 5v 供应
• 军事 温度 范围 -55
o
c 至 +125
o
c
8月 1995
规格 号码
518058
文件 号码
3042.1
db 不适用
订购 信息
零件 号码 温度 范围 包装
hs1-82c37arh-q -55
o
c 至 +125
o
c 40 铅 sbdip
hs1-82c37arh-8 -55
o
c 至 +125
o
c 40 铅 sbdip
hs1-82c37arh-样品 +25
o
c 40 铅 sbdip
hs9-82c37arh-q -55
o
c 至 +125
o
c 42 铅 陶瓷 扁平包装
hs9-82c37arh-8 -55
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c 至 +125
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c 42 铅 陶瓷 扁平包装
hs9-82c37arh/样品 +25
o
c 42 铅 陶瓷 扁平包装
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