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晶体管
2SA1123
硅 pnp 外延 planer 类型
用于 低频 高 击穿 电压 放大
互补 至 2sc2631
■
特点
●
满意 foward 电流 转让 比率 h
铁
收集器 电流 我
c
特性.
●
高 收集器 至 发射器 电压 v
CEO
.
●
小 收集器 输出 电容 c
ob
.
●
使 向上 一个 互补 对 与 2sc2631, 哪个 是 opti-
妈妈 用于 这 预-驾驶员 舞台 的 一个 20 至 40w 输出 放大器.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:发射器
2:收集器
3:底座
电子元件工业联合会:to–92
eiaj:sc–43a
5.0
±
0.2 4.0
±
0.2
5.1
±
0.213.5
±
0.5
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
1.27 1.27
2.3
±
0.2
2.54
±
0.15
213
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
–150
–150
–5
–100
–50
750
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
ma
mW
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
收集器 输出 电容
噪声 电压
符号
我
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*
v
ce(sat)
f
t
c
ob
nv
条件
v
cb
= –100v, 我
e?
= 0
我
c
= –0.1ma, 我
B
= 0
我
e?
= –10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= –5v, 我
c
= –10ma
我
c
= –30ma, 我
B
= –3ma
v
cb
= –10v, 我
e?
= 10ma, f = 200mhz
v
cb
= –10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
v
ce
= –10v, 我
c
= –1ma, g
v
= 80db
右
g
= 100k
Ω
, 功能 = 扁平
最小
–150
–5
130
典型值
200
150
最大值
–1
450
–1
5
300
单位
µ
一个
v
v
v
MHz
pf
mv
*
h
铁
等级 分类
等级 右 s t
h
铁
130 ~ 220 185 ~ 330 260 ~ 450
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