电源Transistors
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2SC1030
硅 npn 晶体管
1b 2e 3c
特性
和 至-3 包装
低 频率 电源 amplifications
绝对 最大 比率 tc=25
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级 至 根基 电压 150 V
V
CEO
集电级 至 发射级 电压 80 V
V
EBO
发射级 至 根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流-持续的 6 一个
P
D
总的 电源 dissipation@tc=25 50 w
T
j
接合面 温度 200
T
stg
存储 温度 -55~200
至-3
电的 特性 tc=25
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
集电级-发射级 sustaining 电压 I
C
=0.2a; i
B
=0 80 v
V
CER
集电级-发射级 sustaining 电压
I
CEO
集电级 截止 电流 V
CE
=30v; i
B
=0 2.0 毫安
I
EBO
发射级 截止 电流 V
EB
=6v; i
C
=0 1.0 毫安
I
CBO
集电级 截止 电流 V
CB
=30v; i
E
=0 1.0 毫安
V
EBO
根基-发射级 损坏 电压
V
ce(sat-1)
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=5.0a; i
B
=1.0a 1.5 v
V
ce(sat-2)
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat-3)
集电级-发射级 饱和 电压
h
fe-1
向前 电流 转移 比率 I
C
=1a; v
CE
=5v 35 200
h
fe-2
向前 电流 转移 比率 I
C
=5a; v
CE
=5v 22
h
fe-3
向前 电流 转移 比率
V
是(在)
根基-发射级 在 电压
f
T
电流 增益-带宽 产品 I
C
=1a; v
CE
=5V 10 MHz
h
fe
小-信号 电流 增益
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