电源 晶体管
1
发行 日期: 二月 2003 SJD00092BED
2sc1567, 2sc1567a
硅 npn 外延的 planar 类型
为 低-频率 高 电源 驱动器
complementary 至 2sa0794, 2sa0794a
■
特性
•
高 集电级-发射级 电压 (根基 打开) v
CEO
•
最佳的 为 这 驱动器 平台 的 低-频率 和 40 w 至 100 w
输出 放大器
•
至-126b 包装 这个 需要 非 绝缘 加设护板 为 installa-
tion 至 这 热温 下沉
■
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
°
C
■
电的 特性
T
一个
=
25
°
C
±
3
°
C
单位: mm
便条) 1. 测量 方法 是为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
2.
*
: 分级 分类
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
2SC1567 V
CBO
100 V
(发射级 打开)
2SC1567A 120
集电级-发射级 电压
2SC1567 V
CEO
100 V
(根基 打开)
2SC1567A 120
发射级-根基 电压 (集电级 打开) V
EBO
5V
集电级 电流 I
C
0.5 一个
顶峰 集电级 电流 I
CP
1A
集电级 电源 消耗 P
C
1.2 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 电压
2SC1567 V
CEO
I
C
=
100
µ
一个, i
B
=
0 100 V
(根基 打开)
2SC1567A 120
发射级-根基 电压 (集电级 打开) V
EBO
I
E
=
1
µ
一个, i
C
=
05V
向前 电流 转移 比率 h
FE1
*
V
CE
=
10 v, i
C
=
150 毫安 130 330
h
FE2
V
CE
=
5 v, i
C
=
500 毫安 50 100
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=
500 毫安, i
B
=
50 毫安 0.2 0.4 V
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
I
C
=
500 毫安, i
B
=
50 毫安 0.85 1.20 V
转变 频率 f
T
V
CB
=
10 v, i
E
=
−
50 毫安, f
=
200 mhz 120 MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
=
10 v, i
E
=
0, f
=
1 mhz 11 20 pF
(一般 根基, 输入 打开 短路)
1: 发射级
2: 集电级
3: 根基
至-126b-a1 包装
8.0
+0.5
–0.1
1.9
±
0.1
3.05
±
0.1
3.8
±
0.3
11.0
±
0.5
16.0
±
1.0
3.2
±
0.2
0.75
±
0.1
0.5
±
0.1
2.3
±
0.2
4.6
±
0.2
0.5
±
0.1
1.76
±
0.1
123
φ
3.16
±
0.1
分级 R S
h
FE1
130 至 220 185 至 330
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