2sc1815(l)
2003-03-27
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toshiba 晶体管 硅 npn 外延的 类型 (pct 处理)
2sc1815(l)
音频的 频率 电压 放大器 产品
低 噪音 放大器 产品
高 损坏 电压, 高 电流 能力
: v
CEO
= 50 v (最小值), i
C
= 150 毫安 (最大值)
极好的 线性 的 h
FE
: h
fe (2)
= 100 (典型值.) 在 v
CE
= 6 v, i
C
= 150 毫安
: h
FE
(i
C
= 0.1 毫安)/h
FE
(i
C
= 2 毫安) = 0.95 (典型值.)
低 噪音: nf = 0.2db (典型值.) (f = 1 khz).
complementary 至 2sa1015 (l). (o, y, gr 类).
最大 比率
(ta
25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
60 v
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 v
发射级-根基 电压 V
EBO
5 v
集电级 电流 I
C
150 毫安
根基 电流 I
B
50 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
400 mw
接合面 温度 T
j
125 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~125 °c
电的 特性
(ta
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
60 v, i
E
0
0.1
一个
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
5 v, i
C
0
0.1
一个
h
fe (1)
(便条)
V
CE
6 v, i
C
2 毫安 70
700
直流 电流 增益
h
fe (2)
V
CE
6 v, i
C
150 毫安 25 100
集电级-发射级 v
ce (sat)
I
C
100 毫安, i
B
10 毫安
0.1 0.25
饱和 电压
根基-发射级 v
是 (sat)
I
C
100 毫安, i
B
10 毫安
1.0
V
转变 频率 f
T
V
CE
10 v, i
C
1 毫安 80
MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
10 v, i
E
0, f
1 mhz
2.0 3.5 pf
根基 intrinsic 阻抗 r
bb’
V
CE
10 v, i
E
1 毫安, f
30 mhz
50
nf (1)
V
CE
6 v, i
C
0.1 毫安
R
G
10 k
f
100 hz
0.5 6
噪音 图示
nf (2)
V
CE
6 v, i
C
0.1 毫安
R
G
10 k
f
1 khz
0.2 3
dB
便条: h
fe (1)
分类 o: 70~140, y: 120~240, gr: 200~400, bl: 350~700
单位: mm
电子元件工业联合会 至-92
jeita sc-43
toshiba 2-5f1b
重量: 0.21 g (典型值.)
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