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资料编号:394179
 
资料名称:SI4430DY
 
文件大小: 43.2K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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1
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Si4430DY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 70852
s-03662—rev. c, 14-apr-03
www.vishay.com
2-1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
30
0.004 (典型值)@ v
gs
= 10 v
23
30
0.008 @ v
gs
= 4.5 v
17
所以-8
sd
sd
sd
gd
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
d
g
s
n通道 场效应晶体管
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
ds
30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
d
23
15
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
d
19
12
一个
脉冲 排水管 电流 (10
s 脉冲 宽度)
dm
60
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
2.9 1.3
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
3.5 1.6
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
2.2 1
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
29 35
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
thja
67 80
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州
thJF
13 16
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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