january 2001
2001 仙童 半导体 国际
si4467dy rev 一个
Si4467DY
p沟道 1.8v 指定 powertrench
场效应晶体管
概述 描述
这个 p沟道 1.8v 指定 场效应晶体管 是 一个 坚固耐用
闸门 版本 的 仙童 半导体’s 高级
powertrench 流程. 它 有 被 优化 用于 电源
管理 应用程序 与 一个 宽 范围 的 闸门
驱动器 电压 (1.8v – 8v).
应用程序
•
电源 管理
•
荷载 开关
•
蓄电池 保护
特点
•
–13.5 一个, –20 v. 右
ds(开启)
= 8.5 m
Ω
@ v
gs
= –4.5 v
右
ds(开启)
= 10.5 m
Ω
@ v
gs
= –2.5 v
右
ds(开启)
= 14 m
Ω
@ v
gs
= –1.8 v
•
快 开关 速度
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
高 电流 和 电源 搬运 能力
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
d
d
d
d
s
s
s
g
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压
–
20
v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
8
v
我
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1a)
–
13.5
一个
– 脉冲
–
50
电源 耗散 用于 单独 操作
(备注 1a)
2.5
(备注 1b)
1.5
p
d
(备注 1c)
1.2
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 -55 至 +175
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
50
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1c)
125
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
4467
s我4467DY13’’12mm2500 联合国我ts
Si4467DY
: 点此下载
