january 2001
Si4539DY
双 n &放大; p-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 n-频道 p-频道 单位
V
DSS
流-源 电压 30 -30 V
V
GSS
门-源 电压 20 -20 V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
7 -5 一个
- 搏动 20 -20
P
D
电源 消耗为 双运作
2 W
电源 消耗为 单独的 运作
(便条 1a)
1.6
(便条 1b)
1
(便条 1c)
0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40 °c/w
Si4539DYrev. 一个
soic-16sot-23 SuperSOT
TM
-8 所以-8 sot-223
SuperSOT
TM
-6
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
4539
管脚
1
这些双 n-和 p-频道 增强 模式 电源
地方 效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常
高 密度 处理 是 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 和 提供 更好的 切换
效能. 这些 设备 是 特别 suited 为 低
电压 产品 此类 作 notebook 计算机 电源
管理 和 其它 电池 powered 电路 在哪里
快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和 阻抗 至
过往旅客 是 需要.
n-频道 7.0一个,30 v,R
ds(在)
=0.028
Ω
@ v
GS
=10 v
R
ds(在)
=0.040
Ω
@ v
GS
= 4.5v.
p-频道 -5.0一个,-30v,R
ds(在)
=0.052
Ω
@ v
GS
=-10 v
R
ds(在)
=0.080
Ω
@ v
GS
=-4.5V.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely 使用
表面 挂载 包装.
双 (n &放大; p-频道) 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
3
5
7
8
2
1
4
1
6
© 2001 仙童 半导体 国际的
Si4
539
DY
: 点此下载
