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资料编号:394255
 
资料名称:SI4816DY-E3
 
文件大小: 91.82K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


: 点此下载
 
1
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8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
g
2
s
2
n通道 2
场效应晶体管
肖特基 二极管
一个
g
1
d
1
n通道 1
场效应晶体管
s
1
/d
2
特点
d
加号
电源 场效应晶体管
d
100%
g
teste?d
Si4816DY
vishay Siliconix
文件 号码: 71121
s-41697—rev. e?, 20-9月-04
www.vishay.com
1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管 肖特基 二极管
产品 摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
频道-1
0.022 @ v
gs
=10V 6.3
channel-1
30
0.030 @ v
gs
=4.5v 5.4
频道 2
30
0.013 @ v
gs
=10V 10
频道-2
0.0185 @ v
gs
=4.5v 8.6
肖特基 产品 摘要
v
ds
(v)
v
sd
(v)
二极管 前进 电压
f
(一个)
30 0.50 v @ 1.0 一个 2.0
g
1
d
1
一个/s
2
d
2
/s
1
一个/s
2
d
2
/s
1
g
2
d
2
/s
1
所以-8
5
6
7
8
p e?w
2
3
4
1
订购 信息: Si4816DY
si4816dy-t1 (与 胶带 卷轴)
Si4816DY—E3 (铅 (铅)-免费)
si4816dy-t1—e3 (铅 (铅)-免费 胶带 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
=25
_
c 除非 否则 已注明)
频道-1 频道-2
参数 符号
10 稳定 10 稳定
单位
漏源 电压 v
ds
30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流 (t
j
= 150
_
c)
一个
t
一个
=25
_
c
d
6.3 5.3 10 7.7
连续 排水管 电流 (t
j
= 150
_
c)
一个
t
一个
=70
_
c
d
5.4 4.2 8.2 6.2
脉冲 排水管 电流
dm
30 40
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
1.3 0.9 2.2 1.15
雪崩 电流
b
l = 0 1 mh
作为
12 25
单独 脉冲 雪崩 能源
b
l=0.1mh
e?
作为
7.2 31.25 mJ
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
=25
_
c
p
d
1.4 1.0 2.4 1.25
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
=70
_
c
p
d
0.9 0.64 1.5 0.8
w
操作 接合点 存储 温度 范围 t
j
,t
stg
--55 150
_
c
电阻 额定值
频道-1 频道-2 肖特基
参数 symbol
Typ 最大值 Typ 最大值 Typ 最大值
单位
最大值 接合点 环境
一个
t
10
72 90 43 53 48 60
最大值 交叉点到环境
一个
稳态
thja
100 125 82 100 80 100
_
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳态
thjc
51 63 25 30 28 35
c/
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” FR4 板.
b. 起动 日期 代码 w46baa.
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