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资料编号:394260
 
资料名称:SI4814BDY
 
文件大小: 156.32K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SI4814BDY的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
规格 比较
vishay siliconix
文件 号码 74072 www.vishay.com
11-将-05
si4814bdy vs. si4814dy
描述: 双
n-频道, 30-v (d-s) 场效应晶体管 与 肖特基 二极管
包装:
所以-8
管脚 出点: 相同
零件 号码 更换件:
si4814bdy-t1-e3 替换 si4814dy-t1-e3
摘要 的 业绩:
这 si4814bdy 是 这 更换 至 这 原件 si4814dy; 两者都有零件 执行 相同, 包括ing 限制 至 这 参数化
表格 下面.
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
o
c 除非 否则 已注明)
si4814bdy si4814dy
参数 符号
ch-1 ch-2 ch-1 ch-2
单位
漏源 电压
v
ds
30 30
栅极-源极 电压
v
gs
+
20 +20
v
t
一个
= 25
°
c
7.5 7.8 7.0 7.8
连续 排水管 电流
t
一个
= 70
°
c
d
6 6.3 5.6 6
脉冲 排水管 电流
dm
40 40 40 40
连续 来源 电流
(场效应晶体管 二极管 传导)
s
1.7 1.8 1.7 1.8
一个
t
一个
= 25
°
c
1.9 2.0 1.9 2.0
电源 耗散
t
一个
= 70
°
c
p
d
1.2 1.3 1.2 1.3
w
操作 接合点 &放大器; 存储 温度 范围
t
j
&放大器; t
stg
-55 至 150 -55 至 150
°
c
最大值 交叉点到环境 - 场效应晶体管
thja
65 60 65 60
°
c/w
场效应晶体管 规格 (t
j
= 25
o
c 除非 否则 已注明)
si4814bdy si4814dy
参数 符号
最小 典型值 最大值 最小 典型值 最大值
单位
静态
ch-1 1.5 3.0 0.8 ns
闸门-阈值 电压
v
gs(th)
ch-2 1.5 2.7
0.8 ns
v
ch-1 +100 +100
闸门-车身 泄漏
GSS
ch-2 +
100 +100
不适用
ch-1 1 1
零 闸门 电压 排水管 电流
DSS
ch-2 100 100
µ
一个
ch-1 20 20
开启状态 排水管 电流
v
gs
= 10 v
d(开启)
ch-2 20 20
一个
ch-1 0.0145 0.018 0.0175 0.021
v
gs
= 10 v
ch-2 0.015 0.018 0.0165 0.020
ch-1 0.019 0.023 0.027 0.0325
漏源 导通电阻
v
gs
= 4.5 v
ds(开启)
ch-2 0.018 0.022 0.022 0.0265
ch-1 30 17
前进 跨导
g
fs
ch-2 35 20
s
ch-1 0.75 1.1 0.7 1.1
二极管 前进 电压
v
sd
ch-2 0.47 0.5 0.47 0.5
v
886-3-5753170
86-755-83289224
http://www.100y.com.tw
886-3-5753170
86-755-83289224
http://www.100y.com.tw
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