Si4948EY
vishay siliconix
文件 号码: 70166
s-99444—rev. e?, 29-十一月-99
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2-1
双 p沟道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
–60
0.120 @ v
gs
= –10 v
3.1
–60
0.150 @ v
gs
= –4.5 v
2.8
s
1
d
1
g
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d
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s
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d
2
g
2
d
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s
1
g
1
d
1
d
1
p沟道 场效应晶体管
s
2
g
2
d
2
d
2
p沟道 场效应晶体管
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
–60
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=175
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
3.1
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 175
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
2.6
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–2.0
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.4
wmaximum 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.7
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 175
c
参数 符号 限制 单位
最大值 交叉点到环境
一个
右
thja
62.5
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
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