v伊沙伊 siliconix
额外的刺激 设备 型号 si4900d
y
n通道 60-v (d-s) 场效应晶体管
特性
•
n通道 垂直 dmos
•
宏 型号 (子电路 型号)
•
水平 3 mos
•
应用 用于 两者都有 线性 和 开关 应用程序
•
准确 结束 这
−
55 至 125
°
c 温度 范围
•
型号 这 闸门 费用, 瞬态, 和 二极管 反向 回收
特性
描述
这 附加 额外的刺激 型号 描述bes 这 典型 电气
特性 的 这 n通道 vertical dmos. 这 子电路
型号 是 已提取 和 优化 结束 这
−
55 至 125
°
c
温度 范围 下 这 脉冲ed 0-v 至 10-v 闸门 驱动器. 这
饱和 输出 阻抗 是 最好 适合 在 这 闸门 偏差 近 这
阈值 电压.
一个 小说 栅极至漏极 反馈 capacitance 网络 是 已使用 至 型号
这 闸门 费用 特性 同时避免 收敛性 困难
的 这 已切换 c
gd
型号. 全部 型号 参数 数值 是 优化
至 提供 一个 最好 适合 至 这 m已测量 电气 数据 和 是 不
预期 作为 一个 精确 物理 口译 的 这 设备.
子电路 型号 原理图
这个 文件 是 预期作为 一个 额外的刺激 建模 指南 和 是否不 构成 一个 商业 产品 数据 工作表. 设计师 should 参考 至 这 适当的
数据 工作表 的 这 相同 号码 fo右 保证 具体位置 限制.
1
www.visha
y.com
文件 号码: 73237
s-50392
rev. 一个,14-ma右-05
: 点此下载
