january 2001
Si4920DY
双n-channel, 逻辑 水平,PowerTrench
场效应晶体管
概述描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 其他 智者 已注明
符号参数Si4920DY单位
v
DSS
漏源 电压30v
v
GSS
栅极-源极 电压±20v
我
d
排水管 电流 - 连续
(备注 1a)
6一个
- 脉冲20
p
d
电源 耗散用于 单独 操作
(备注 1a)
2w
(备注 1b)
1.6
(备注 1c)
0.9
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围-55 至 150°C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
78°c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
40°c/w
Si4920DYrev.一个
6一个, 30 v. 右
ds(开启)
= 0.028
Ω
@v
gs
= 10 v
右
ds(开启)
= 0.035
Ω
@v
gs
= 4.5 v.
快 开关 速度.
低 闸门 费用 (典型 9nc).
高 业绩trench 技术用于 极其 低
右
ds(开启)
.
高 电源 和 电流 搬运 能力.
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8sot-223
SuperSOT
tm
-6
这些n通道 逻辑 水平 mosfets是
生产 使用 仙童 半导体's
高级 powertrench 流程 那 有 被
尤其是 量身定制 至 最小化 这 开启状态
电阻 和 然而 维护上级 开关
业绩.
这些 设备 是 井 适合 用于 低 电压 和
蓄电池 通电 应用程序在哪里 低 在线
电源 损失 和 快 开关 是 必填项.
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
pin
1
1
5
7
8
2
3
4
6
© 2001 仙童 半导体 国际
4920
: 点此下载
