特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
高级 高 细胞 密度 流程
应用程序
荷载 开关
- 笔记本 pcs
- 台式机 pcs
- 游戏 车站
Si4925BDY
vishay siliconix
文件号码: 72001
s-31989—rev. b, 13-oct-03
www.vishay.com
1
双 p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
-30
0.025 @ v
gs
=-10 v
-7.1
-30
0.041 @ v
gs
=-4.5 v -5.5
s
1
d
1
g
1
d
1
s
2
d
2
g
2
d
2
所以-8
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
s
1
g
1
d
1
p沟道 场效应晶体管
s
2
g
2
d
2
p沟道 场效应晶体管
订购 信息: Si4925BDY
si4925bdy-t1 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
-30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
-7.1
-5.3
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
-5.7 -4.3
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
-40
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
-1.7 -0.9
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.0 1.1
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.3 0.7
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
50 62.5
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
85 110
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
30 40
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1 ” x 1” fr4 板.
: 点此下载
