特点
100% 右
g
已测试
Si4953DY
vishay siliconix
文件号码: 70153
s-31726—rev.e?, 18-8月-03
www.vishay.com
1
双 p沟道 30-v(d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
30
0.053 @ v
gs
=-10 v -4.9
-30
0.095 @ v
gs
=-4.5 v -3.6
s
1
d
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g
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d
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p沟道 场效应晶体管
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d
2
p沟道 场效应晶体管
订购 信息: Si4953DY
si4953dy-t1 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
-30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
-4.9
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
-3.9
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
-30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
-1.7
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.0
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.3
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 限制 单位
最大值交叉点到环境
一个
右
thja
62.5
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 worldwide web:http://www.vishay.com
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