Si9434DY
Siliconix
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s-56981—rev. h, 15-六月-98 siliconix 是 以前 一个 事业部 的 temic 半导体
1
p沟道 增强模式 场效应晶体管
–20
0.040 @ v
gs
= –4.5 v
6.4
–20
0.060 @ v
gs
= –2.5 v
5.1
推荐 升级: si9424dy
sd
s
d
sd
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d
所以-8
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2
3
4
1
SSS
g
d dd d
p沟道 场效应晶体管
漏源 电压 v
ds
–20
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流 (t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
6.4
连续 排水管 电流
(t
j
= 150 c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
5.1
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
10
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–2.5
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.5
wmaximum 电源 dissi 位置
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.6
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
最大值 交叉点到环境
一个
右
thja
50
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
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