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资料编号:395374
 
资料名称:SI9803DY
 
文件大小: 51.36K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9803DY
vishay siliconix
文档 号码: 70638
s-49559—rev. c, 11-二月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
1
p-频道 减少 q
g
, 快 切换 场效应晶体管
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–25
0.040 @ v
GS
= –4.5 v
5.9
–25
0.060 @ v
GS
= –3.0 v
4.8
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
p-频道 场效应晶体管
   

   
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
–25
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
5.9
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
4.7
一个
搏动 流 电流 I
DM
40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
–2.1
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5
W
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
  
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
R
thJA
50
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
10 秒.
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