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描述
这 il4208 由 的 一个 gaas irled 光学 耦合 至 一个 photosensi-
活动 非零 穿越 三端双向可控硅开关 网络. 这 三端双向可控硅开关 由 的 两个
逆 平行 已连接 单片 scrs. 这些 三个 semiconduc-
活动范围 是 已装配 入点 一个 六个 管脚 0.3 英寸 双 在线 包装, 使用 高
绝缘 双 模制, 结束/下 引线框架 施工.
高 输入 灵敏度 是 已实现 由 使用 一个 发射器 跟随者 pho-
totransistor 和 一个 级联 scr 前置驱动器 结果 入点 一个 led指示灯 触发器
电流 的 较少 比 2 ma (直流).
这 il4208 用途 两个 离散 scrs 结果 入点 一个 换向 设计验证/dt
更大 比 10 kv/
µ
s. 这 使用 的 一个 专有 设计验证/dt 卡箍 结果 入点 一个
静态 设计验证/dt 的 更大 比 10kv/
µ
s. 这个 卡箍 电路 有 一个 场效应晶体管
那 是 增强型 当 高 设计验证/dt 尖峰 发生 之间 mt1 和 mt2
的 这 三端双向可控硅开关. 当 传导, 这 场效应晶体管 卡箍 这 底座 的 这 pho-
totransistor, 正在禁用 这 first 舞台 scr 前置驱动器.
这 800v 阻塞 电压 许可证 控制 的 离线 电压 向上 至
240vac, 与 一个 安全 因素 的 更多 比 两个, 和 是 sufficient 用于 作为
很多 作为 380vac.
这 il4208 分离株 低电压 逻辑 从 120, 240, 和 380 vac 线条
至 控制 电阻, 归纳, 或 电容式 荷载 包括 电机, 鞋底-
noids, 高 电流 thyristors 或 三端双向可控硅开关 和 继电器.
应用程序 包括 固态 继电器, 工业 控件, office 设备-
门特, 和 消费者 电器.
包装 尺寸 入点 英寸 (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id.
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
1
2
3
6
5
4
三端双向可控硅开关
MT1
三端双向可控硅开关
MT2
基材
做 不
连接
led指示灯
阳极
led指示灯
阴极
nc
特点
• 高 输入 灵敏度, 我
英尺
=2 ma
• 阻塞 电压,800 v
• 隔离 测试一下 电压5300 vac
rms
• 300 ma 开启状态 电流
• 高 静态 设计验证/dt 10,000 v/ms
• 逆 平行 scrs 提供
• 换向 设计验证/dt >2k v/
µ
s
• 很 低 泄漏 &指示灯;10
µ
一个
• 小 6-管脚 倾角 包装
• underwriters 实验室 文件 #e52744
• vde 0884 可用 与 选项 1
最大值 额定值
发射器
反向 电压 ..................................................... 6 v
前进 电流 ................................................60 ma
浪涌 电流.......................................................2.5 一个
热 电阻....................................... 750
°
c/w
降额 从 25
°
c ...................................... 1.33 mw/
°
c
检测器
峰值 关闭状态 电压......................................... 800 v
峰值 反向 电压 ......................................... 800 v
rms 开启状态 电流 .....................................300 ma
单独 循环 浪涌..................................................3 一个
热 电阻....................................... 125
°
c/w
合计 电源 耗散 ................................... 500 mw
降额 从 25
°
c ........................................ 6.6 mw/
°
c
包装
隔离 测试一下 电压 (之间 发射器
和 检测器, climate 按 din 40046,
零件 2, 十一月 74 (t=1 最小.)....................5300 vac
rms
pollution 学位 (din vde 0109) .............................. 2
爬电距离 距离 ...........................................
≥
7 mm
净空..........................................................
≥
7 mm
comparative 间距 索引 按 din iec
112/vde 0303 零件 1, 集团 iiia 按
din vde 6110..................................................... 175
隔离 电阻
v
io
=500 v, t
一个
=25
°
c ....................................
≥
10
12
Ω
v
io
=500 v, t
一个
=100
°
c ..................................
≥
10
11
Ω
存储 温度 范围 ............. –55
°
c 至 +125
°
c
环境 温度 范围 ............ –55
°
c 至 +100
°
c
焊接 温度 (最大值.
≤
10 秒.倾角
焊接
≥
0.5 mm 从 案例 底部)............ 260
°
c
IL4208
800 v 三端双向可控硅开关 驾驶员 光耦合器
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