umh7n / imh7a
晶体管
一般 目的 (双 数字的 晶体管)
umh7n / imh7a
!
特性
1) 包含 二 dtc143t 晶体管 在 一个 单独的 umt
包装.
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
∗
1 120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
2 200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
限制
50
50
5
100
150 (总的)
150
−
55
∼+
150
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
∗
1
300 (总的)
UMH7N
fmg13, imh7a
∗
2
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
!
!!
!
包装, 标记, 和 包装 规格
部分 非.
UMH7N
UMT6
H7
TR
3000
IMH7A
SMT6
H7
T108
3000
包装
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
!
!!
!
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : umt6
eiaj : sc-88
rohm : smt6
IMH7A
UMH7N
eiaj : sc-74
各自 含铅的 有 一样 维度
(
6
)
(
5
)
(
4
)
0.3to0.6
0.15
0.3
1.1
0.8
0to0.1
(
3
)
2.8
1.6
1.9
2.9
0.95
(
2
)
0.95
(
1
)
各自 含铅的 有 一样 维度
0to0.1
(
6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1min.
2.1
0.65
0.2
1.25
(
1
)
0.65
(
4
)
(
3
)
(
2
)
(
5
)
!
!!
!
电路 图解
UMH7N IMH7A
R
1
R
1
R
1
R
1
!
!!
!
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
标识
最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
50
50
5
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5
0.5
0.3
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
I
C
=50
µ
一个
I
C
=1mA
I
E
=50
µ
一个
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/ i
B
=5mA
/ 0.25ma
h
FE
100 250 600
−
V
CE
/ i
C
=5v / 1ma
R
1
3.29 4.7
−
6.11 k
Ω
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
直流 电流 转移 比率
集电级-发射级 饱和 电压
输入 阻抗
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