半导体 组件 industries, llc, 2003
july, 2003-rev. 0
发行 顺序 号码:
imh20t1g/d
IMH20T1G
双 偏差 电阻
晶体管
npn 表面 挂载
•
低 v
CC
(sat) 80 mv 最大值 在 ic/ib = 50 毫安/2.5 毫安
•
高 电流: i
C
= 600 毫安 最大值
•
含铅的 自由 镀层
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率
标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
(br)cbo
30 Vdc
集电级-发射级 电压 V
(br)ceo
15 Vdc
发射级-根基 电压 V
(br)ebo
5.0 Vdc
集电级 电流-持续的 I
C
600 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
电源 dissipation* P
D
300 mW
接合面 温度 T
J
150
°
C
存储 温度 T
stg
- 55 至 +150
°
C
*total 为 两个都 elements
sc-74
标记
图解
xx m
xx = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
设备
包装 Shipping
订货 信息
IMH20T1G SC-74 3000/录音带 &放大; 卷轴
†the “t1” 后缀 谈及 至 一个 7-inch 卷轴.
Q
1
http://onsemi.com
Q2
R1
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(2)
(3)
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