设备
v
z
(v)
z
z
(
Ω
)
我
ZT
(ma)
我
R1
(
µ
一个)
v
右
(v)
我
R2
(
µ
一个)
v
右
t
一个
=150
°
c
(v)
t
c
(%/
°
c)
我
ZM
*
(ma)
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
28
24
23
22
19
20
20
20
20
20
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
30
30
30
30
30
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
110
100
95
85
75
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
5.1
5.6
6.2
6.8
17
11
7.0
5.0
20
20
20
20
1.0
1.0
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
20
20
20
20
1.0
1.0
1.0
1.0
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
70
65
60
55
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
7.5
8.2
9.1
10
12
6.0
8.0
10
17
30
20
20
20
20
20
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
20
20
20
20
20
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
50
45
40
35
38
1n746a - 1n759a 系列 一半 瓦特 zeners
绝对 最大值 ratings*
助教 = 25°c 除非 否则 已注明
公差: 一个 = 5%
电气 特性
助教 = 25°c 除非 否则 已注明
@
@
@
备注
:
1)
这些 额定值 是 基于 开启 一个 最大值 接合点 温度 的 200 学位 c.
2)
这些 是 稳定 州 限制. 这 工厂 应该 是 咨询 开启 应用程序 涉及 脉冲
或 低 职责 循环 运营.
*
这些 额定值 是 限制 数值 以上 哪个 这 可维修性 的 这 二极管 将 是 受损.
*
izm (最大值 齐纳 电流 评级) 数值 显示 是 基于 开启 这 电子元件工业联合会 评级 的 400 毫瓦. 在哪里 这 实际 齐纳 电压 (vz) 是 已知
在 这 操作 点, 这 最大值 齐纳 电流 将 是 增加 和 是 有限 由 这 降额 曲线.
参数 值 单位
存储 t温度 范围 -65 至 +200
°
c
最大值 接合点 操作 温度 + 175
°
c
铅 温度 (1/16” 从 案例 用于 10 秒) + 230
°
c
合计 设备 耗散
降额 以上 25
°
c
500
3.33
mW
mW/
°
c
1n746a - 1n759a 系列
做-35
离散 电源 &放大器; 信号
技术
ã
1997 仙童 半导体 公司
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