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资料编号:404853
 
资料名称:IN74HC365
 
文件大小: 142.66K
   
说明
 
介绍:
HEX 3-STATE NONINVERTING BUFFER WITH COMMON ENABLES (High-Performance Silicon-Gate CMOS)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IN74HC365
1
h
ex
3-s
泰特
n
ONINVERTING
B
UFFER
c
OMMON
e?
NABLES
高性能 硅栅 cmos
这 in74hc365 是 相同 入点 引出线 至 这 ls/als365. 这
设备 输入 是 兼容 与 标准 cmos 产出; 与
上拉 电阻, 他们 是 兼容 与 ls/alsttl 产出.
这个 设备 是 一个 高速 十六进制 缓冲区 与 3-州 产出
和 两个 普通 低电平有效 输出 启用. 当 要么 的 这
启用 是 高, 这 缓冲区 产出 是 已放置 进入 高-
阻抗 国家. 这 in74hc365 有 非反相 产出.
产出 直接 接口 至 cmos, nmos, 和 ttl
操作 电压 范围: 2.0 至 6.0 v
低 输入 电流: 1.0
µ
一个
订购 信息
in74hc365n 塑料
in74hc365d soic
t
一个
= -55
°
至 125
°
c 用于 全部
软件包
功能 表
输入 输出
启用
1
启用
2
一个 y
l l l l
l l h h
h x x z
x h x z
z = 高 阻抗
x = 唐’t 护理
逻辑 图表
管脚 16 =v
抄送
管脚 8 = 地
管脚 分配
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