典型 连接
高 和 低 侧面 驾驶员
特点
•
浮动 频道 设计 用于 引导程序 操作
完全 运营 至 +600v
宽容 至 负 瞬态 电压
设计验证/dt 免疫
•
闸门 驱动器 供应 范围 从 10 至 20v (ir2106(4))
•
欠压 上锁 用于 两者都有 频道
•
3.3v, 5v 和 15v 输入 逻辑 兼容
•
匹配 传播 延迟 用于 两者都有 频道
•
逻辑 和 电源 接地 +/- 5v 偏移量.
•
下部 di/dt 闸门 驾驶员 用于 更好 噪声 免疫
•
产出 入点 相位 与 输入 (ir2106)
软件包
14-铅 pdip
14-铅 soic
ir2106(4)
(
s
)
8-铅 pdip
8-铅 soic
www.irf.com 1
数据 工作表 否. pd60162 rev. v
(参考 至 铅 作业 用于 cor-
矩形 管脚 配置). 这个/这些
图表(s) 显示 电气 控制-
区域 仅. 请 参考 至 我们的 应用程序-
阳离子 备注 和 designtips 用于
适当的 电路 板 布局.
零件
输入
逻辑
十字形-
传导
预防
逻辑
死区时间 接地 针脚 吨/toff
2106/2301
com
21064
hin/lin 否 无
vss/com
220/200
2108 内部 540ns com
21084
hin/lin 是
可编程 0.54~5
µ
s
vss/com
220/200
2109/2302 内部 540ns com
21094
入点/sd 是
可编程 0.54~5
µ
s
vss/com
750/200
2106/2301//2108//2109/2302/2304
功能 比较
2304
hin/lin
是
内部 100ns
com
160/140
描述
这 ir2106(4)(s) 是 高 电压,
高 速度 电源 场效应晶体管 和
igbt 驱动程序 与 独立 高
和 低 侧面 引用 输出 陈-
内核. 专有 hvic 和 门闩
免疫 cmos 技术 启用
加固 单片 施工.
这 逻辑 输入 是 兼容 与
标准 cmos 或 lsttl 输出,
向下 至 3.3v 逻辑. 这 输出 driv-
ers 功能 一个 高 脉冲 电流 缓冲区 舞台 设计 用于 最小值 驾驶员 十字形-传导. 这 浮动
频道 可以 是 已使用 至 驱动器 一个 n通道 电源 场效应晶体管 或 igbt 入点 这 高 侧面 配置 哪个
操作 向上 至 600 伏特.
IR2106
v
抄送
v
B
v
s
ho
LOCOM
hin
lin
向上 至 600v
至
荷载
v
抄送
lin
hin
IR21064
向上 至 600v
至
荷载
v
抄送
v
B
v
s
ho
lo
com
hin
v
ss
lin
v
抄送
v
ss
lin
hin
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