IRF2807S
IRF2807L
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
02/14/02
v
DSS
= 75v
右
ds(开启)
= 13m
Ω
我
d
= 82a
s
d
g
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高
电源 能力 和 这 最低 可能 导通电阻 入点 任何
现有 表面 安装 包装. 这 d
2
pak 是 适合 用于
高 电流 应用程序 因为 的 其 低 内部 连接
电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面
安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irf2807l) 是 可用 用于 低-
配置文件 应用程序.
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
175
°
c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
描述
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 82
我
d
@ t
c
= 100
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 58 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
280
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 230 w
线性 降额 因素 1.5 w/
°
c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
我
ar
雪崩 电流
43 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
23 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.9 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°
c
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10 lbf
•
入点 (1.1n
•
m)
d
2
Pak
IRF2807S
至-262
IRF2807L
www.irf.com 1
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
–––
0.65
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)**
–––
40
热 电阻
°
c/w
pd - 94170
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