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HEXFET
®
是 一个 已注册 商标 的 国际 整流器.
IRF1010EZPbF
IRF1010EZSPbF
IRF1010EZLPbF
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
s
d
g
v
DSS
= 60v
右
ds(开启)
= 8.5m
Ω
我
d
= 75a
特点
o
高级 流程 技术
o
超 低 导通电阻
o
动态 设计验证/dt 评级
o
175°c 操作 温度
o
快 开关
o
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
汽车 场效应晶体管
描述
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序,
这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 利用 这 最新
加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 附加 有限元分析-
图 的 这个 设计 是 一个 175°c 接合点 operat-
ing 温度, 快 开关 速度 和 即时消息-
已证明 重复性 雪崩 评级 . 这些 有限元分析-
图 联合收割机 至 制造 这个 设计 一个 极其
高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 汽车
应用程序 和 一个 宽 品种 的 其他 应用程序-
区域.
d
2
Pak
IRF1010EZS
至-220ab
IRF1010EZ
至-262
IRF1010EZL
绝对 最大值 额定值
参数 单位
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v (硅 有限)
一个
我
d
@ t
c
= 100°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v (请参见 无花果. 9)
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(包装 有限)
我
dm
脉冲 排水管 电流
c
p
d
@T
c
= 25°c
最大值 电源 耗散
w
线性 降额 因素
w/°c
v
gs
栅极到源极 电压
v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源 (热 有限)
d
mJ
e?
作为
(已测试)
单独 脉冲 雪崩 能源 已测试 值
我
我
ar
雪崩 电流
c
一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
h
mJ
t
j
操作 接合点 和
°C
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
––– 1.11 °c/w
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面
0.50 –––
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 62
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装, 稳定 州)
j
––– 40
最大值
84
60
340
75
10 lbf•in (1.1n•m)
140
0.90
± 20
99
180
请参见 无花果.12a,12b,15,16
300 (1.6mm 从 案例 )
-55 至 + 175
pd - 95483
o
无铅
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