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汽车 场效应晶体管
pd - 94653b
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 6.5m
Ω
我
d
= 75a
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序,
这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 利用 这 最新
加工 技术 至 实现 极其 低 开启-
电阻 按 硅 面积. 附加 特点 的
这个 设计 是 一个 175°c 接合点 操作 蛋彩画-
真实, 快 开关 速度 和 改进 重复性
雪崩 评级 . 这些 特点 联合收割机 至 制造
这个 设计 一个 极其 高效 和 可靠 设备
用于 使用 入点 汽车 应用程序 和 一个 宽 品种
的 其他 应用程序.
s
d
g
描述
●
高级 流程 技术
●
超 低 导通电阻
●
175°c 操作 温度
●
快 开关
●
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
特点
IRF3205Z
IRF3205ZS
IRF3205ZL
d
2
Pak
IRF3205ZS
至-220ab
IRF3205Z
至-262
IRF3205ZL
绝对 最大值 额定值
参数 单位
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(硅 有限)
我
d
@ t
c
= 100°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(包装 有限)
我
dm
pulsed d右心房我nc电流
p
d
@T
c
= 25°c
电源 耗散 w
线性 降额 因素 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 v
e?
作为 (热 有限)
sing乐 pulseAvalanc他 e?nergy
d
mJ
e?
作为
(已测试 )
sing乐 pulseAvalanc他 e?nergytested value
h
我
ar
一个valanc他 c电流
Ã
一个
e?
ar
右epetitiveAvalanc他 e?nergy
g
mJ
t
j
操作 接合点 和
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉
我
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
––– 0.90 °c/w
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平 润滑 表面
我
0.50 –––
右
θ
ja
交叉点到环境
我
––– 62
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)
j
––– 40
250
180
请参见 无花果.12a, 12b, 15, 16
170
1.1
± 20
最大值
110
78
440
75
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 案例 )
10 lbf
y
入点 (1.1n
y
m)
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