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06/10/02
IRLR7811W
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 q
g
30V 10.5m
Ω
19nC
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 64
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 45
一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
260
p
d
@T
c
= 25°c 电源耗散 71
p
d
@T
一个
= 100°c 电源Dissipation* 1.5 w
线性 降额 因素 0.48 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压
±
12 v
t
j
操作接合点和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
备注
通过
是 开启 第页 9
d-pak
pd - 94492
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 2.1
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)* ––– 50 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
应用程序
好处
很 低 rds(开启) 在 4.5v v
gs
超-低 闸门 阻抗
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
高 频率 同步 降压
转换器 用于 计算机 处理器 电源
高 频率 隔离 直流-直流
转换器 与 同步 整改
用于 电信 和 工业 使用
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