参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -30 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -3.0
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -2.4 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-24
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 1.25
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散 0.80
线性 降额 因素 10 mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
8/28/00
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
100 °c/w
热 电阻
绝对 最大值 额定值
w
www.irf.com 1
IRLML5203
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 p沟道 mosfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 这
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
设备 用于 使用 入点 蓄电池 和 荷载 管理
应用程序.
一个 热 增强型 大型 衬垫 引线框架 有 被
股份公司 进入 这 标准 sot-23 包装 至
生产 一个 hexfet 电源 场效应晶体管 与 这 行业's
最小 占地面积. 这个 包装, dubbed 这 micro3
tm
,
是 理想 用于 应用程序 在哪里 已打印 电路 板
空间 是 在 一个 保费. 这 低 配置文件 (&指示灯;1.1mm) 的
这 micro3 允许 它 至 适合 很容易 进入 极其 薄
应用程序 环境 这样的 作为 便携式 电子产品
和 pcmcia 卡片. 这 热 电阻 和
电源 耗散 是 这 最好 可用.
描述
超 低 导通电阻
p沟道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
低 闸门 费用
pd - 93967
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
我
d
-30v
98@V
gs
= -10v -3.0a
165@V
gs
= -4.5v -2.6a
s
g
1
2
D3
Micro3
tm
暂定
: 点此下载
