IRLMS5703
v
DSS
= -30v
右
ds(开启)
= 0.20
Ω
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 91413
e?
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 micro6 包装 与 其 定制 引线框架
生产 一个 hexfet 电源 场效应晶体管 与 rds(开启)
60% 较少 比 一个 类似 尺寸 sot-23. 这个 包装 是
理想 用于 应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间
是 在 一个 保费. 它's 独一无二 热 设计 和 右
ds(开启)
减少 启用 一个 电流-搬运 增加 的 近
300% 比较 至 这 sot-23.
描述
4/7/04
Micro6
世代 v 技术
micro6 包装 风格
超 低 rds(开启)
p沟道 场效应晶体管
top view
1
2
d
g
一个
d
d
d
s
3
4
5
6
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -2.3
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@- 10v -1.9 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-13
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 1.7 w
线性 降额 因素 13
mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
–––
–––
75 °c/w
热 电阻 额定值
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