HEXFET
®
电源 场效应晶体管
s
d
g
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 3.3
右
θ
ja
案例到环境 (pcb 安装)** ––– 50 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.065
Ω
我
d
= 17a
12/6/04
www.irf.com 1
逻辑电平 闸门 驱动器
表面 安装 (irlr024n)
直线 铅 (irlu024n)
高级 流程 技术
快 开关
完全 雪崩 额定
无铅
第五 世代 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 这 最低 可能 开启-
电阻 按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快 开关
速度 和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 设备 用于 使用 入点
一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d-pak 是 设计 用于 表面 安装 使用 蒸气 相位, 红外线, 或
波浪 焊接 技术. 这 直线 铅 版本 (irfu 系列) 是 用于
通孔 安装 应用程序. 电源 耗散 级别 向上 至 1.5 瓦特
是 可能 入点 典型 表面 安装 应用程序.
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 17
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 12 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
72
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 45 w
线性 降额 因素 0.3 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 16 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
68 mJ
我
ar
雪崩 电流
11 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.5 mJ
设计验证/dt peak 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
IRLR024NPbF
IRLU024NPbF
d-pak
我-pak
irlr024npbf irlu024npbf
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