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资料编号:408079
 
资料名称:IRLR3915
 
文件大小: 581.67K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
参数 最大值 单位
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v (硅 有限) 61
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v (请参见 无花果.9) 43 一个
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v (包装 有限) 30
dm
脉冲 排水管 电流
240
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 120 w
线性 降额 因素 0.77 w/°c
v
gs
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
200 mJ
e?
作为
(6 西格玛) 单独 脉冲 雪崩 能源 已测试 值
600
ar
雪崩 电流
请参见 无花果.12a, 12b, 15, 16 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
mJ
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
IRLR3915
IRLU3915
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.3
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)
––– 50 °c/w
θ
ja
接合点-至-ambient––– 110
热 电阻
v
DSS
= 55v
ds(开启)
= 14m
d
= 30a

www.irf.com 1
汽车 场效应晶体管
pd - 94543
hexfet(右) 是 一个 已注册 商标 的 国际 整流器.
描述
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序,
这个 hexfet® 电源 场效应晶体管 利用 这 最新
加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 附加 特点
的 这个 产品 是 一个 175°c 接合点 操作
温度, 快 开关 速度 和 改进
重复性 雪崩 评级. 这些 特点 com-
bine 至 制造 这个 设计 一个 极其 高效 和
可靠 设备 用于 使用 入点 汽车 应用程序
和 一个 宽 品种 的 其他 应用程序.
s
d
g
特点
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
175°c 操作 温度
快 开关
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
d-pak
IRLR3915
我-pak
IRLU3915
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