参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
75 100
HEXFET
电源 场效应晶体管
这些 n通道 mosfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 极其
低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益, 合并
与 这 快 开关 速度 和 加固 设备 设计
那 hexfet
电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供
这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠 设备
用于 使用 入点 蓄电池 和 荷载 管理.
一个 热 增强型 大型 衬垫 引线框架 有 被
股份公司 进入 这 标准 sot-23 包装 至 生产
一个 hexfet 电源 场效应晶体管 与 这 行业's 最小
占地面积. 这个 包装, dubbed 这 micro3
, 是 理想 用于
应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间 是 在 一个
保费. 这 低 配置文件 (&指示灯;1.1mm) 的 这 micro3 允许 它
至 适合 很容易 进入 极其 薄 应用程序 环境
这样的 作为 便携式 电子产品 和 pcmcia 卡片. 这 热
电阻 和 电源 耗散 是 这 最好 可用.
热 电阻
v
DSS
= 20v
右
ds(开启)
= 0.045
Ω
超 低 导通电阻
n通道 场效应晶体管
sot-23 占地面积
低 配置文件 (&指示灯;1.1mm)
可用 入点 胶带 和 卷轴
快 开关
04/30/03
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 4.2
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 3.4 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
33
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 1.25
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散 0.8
线性 降额 因素 0.01 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 12 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
Micro3
d
s
g
3
1
2
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