IRLMS1902
v
DSS
= 20v
右
ds(开启)
= 0.10
Ω
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
第五 世代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 极其 低 导通电阻 按
硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快
开关 速度 和 加固 设备 设计 那
HEXFET
®
电源 mosfets 是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 和
可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 micro6
包装 与 其 定制 引线框架
生产 一个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 与 右
ds(开启)
60% 较少 比 一个 类似 尺寸 sot-23. 这个 包装 是
理想 用于 应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间
是 在 一个 保费. 它's 独一无二 热 设计 和 右
ds(开启)
减少 启用 一个 电流-搬运 增加 的 近
300% 比较 至 这 sot-23.
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Micro6
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